46 biret vektorer, clipart, ikoner, baggrunde og grafiske designs – klar til Royalty Free-download fra Dreamstimes kreative bidragydere.

Transparent polyethylenfilm. Krøllet plastfolie. Realistisk cellofan tekstur på transparent baggrund. Grafisk element af polyethylen- eller cellofanstrækfilm med folder. Vektor.
Transparent polyethylenfilm. Krøllet plastfolie. Realistisk cellofan tekstur på transparent baggrund. Grafisk element af polyethylen- eller cellofanstrækfilm med folder. Vektor.
Atomlagdeposition: et lineært ikon for den cykliske teknik, der får ultratynde film til at vokse et atomlag ad gangen. En ring af fire medurs pile forbinder trinene i en enkelt cyklus. Øverst repræsenterer en trearmet precursor-molekyle den første reaktantpuls, i bunden repræsenterer en mindre buet molekyle den anden.
Atomlagdeposition: et lineært ikon for den cykliske teknik, der får ultratynde film til at vokse et atomlag ad gangen. En ring af fire medurs pile forbinder trinene i en enkelt cyklus. Øverst repræsenterer en trearmet precursor-molekyle den første reaktantpuls, i bunden repræsenterer en mindre buet molekyle den anden.
Fotoresistlag: linjetegningsikon, der viser, hvordan en lysfølsom belægning påføres i fotolitografi. En doseringsdyse øverst frigiver en dråbe flydende resist mod midten af en siliciumwafer med indhak. Buede pile på hver side viser, at substratet roterer med høj hastighed, hvilket spreder polymeren udad til en tynd, ensartet film og th.
Fotoresistlag: linjetegningsikon, der viser, hvordan en lysfølsom belægning påføres i fotolitografi. En doseringsdyse øverst frigiver en dråbe flydende resist mod midten af en siliciumwafer med indhak. Buede pile på hver side viser, at substratet roterer med høj hastighed, hvilket spreder polymeren udad til en tynd, ensartet film og th.
Hård maske: linjekunst-ikon af den holdbare mellemlag, der beskytter en wafer under dyb plasmaætsning. Moderne fotoresist er for tyndt og blødt til at overleve en lang reaktiv ionætsning, så dets mønster kopieres først til et uorganisk lag som siliciumnitrid, siliciumdioxid, titannitrid eller amorf kulstof.
Hård maske: linjekunst-ikon af den holdbare mellemlag, der beskytter en wafer under dyb plasmaætsning. Moderne fotoresist er for tyndt og blødt til at overleve en lang reaktiv ionætsning, så dets mønster kopieres først til et uorganisk lag som siliciumnitrid, siliciumdioxid, titannitrid eller amorf kulstof.
Linjeikon af kemisk dampaflejring (CVD), processen der dyrker tynde film fra reaktive gasser. Prækursorgas træder ind i et kammer gennem en indløb og et perforeret brusehoved, og driver derefter ned som toatomige molekyler mod en wafer, der hviler på en spoleopvarmet plade.
Linjeikon af kemisk dampaflejring (CVD), processen der dyrker tynde film fra reaktive gasser. Prækursorgas træder ind i et kammer gennem en indløb og et perforeret brusehoved, og driver derefter ned som toatomige molekyler mod en wafer, der hviler på en spoleopvarmet plade.
Dielektrisk lag: linjekunstikon af den isolerende film, der holder naboledere adskilt på en chip. To solide plader, hver forbundet til en terminal, holder modsat ladning vist af plus- og minusudskæringer. Imellem dem sidder filmen, afgrænset af sidevægge, med otte ovale atomer tegnet som dipoler.
Dielektrisk lag: linjekunstikon af den isolerende film, der holder naboledere adskilt på en chip. To solide plader, hver forbundet til en terminal, holder modsat ladning vist af plus- og minusudskæringer. Imellem dem sidder filmen, afgrænset af sidevægge, med otte ovale atomer tegnet som dipoler.
Ætse Stop Lag: en begravet barrierefilm der stopper ætsningen ved en defineret dybde. Tre pile nedad krydser mållaget og ender i flade stopstænger på et solidt bånd, mens en dimensionsholder markerer den dybde, den sætter. Da filmen ætser meget langsommere end materialet ovenover, kan ingeniører sikkert overætse og stadig lande hver funktion på en.
Ætse Stop Lag: en begravet barrierefilm der stopper ætsningen ved en defineret dybde. Tre pile nedad krydser mållaget og ender i flade stopstænger på et solidt bånd, mens en dimensionsholder markerer den dybde, den sætter. Da filmen ætser meget langsommere end materialet ovenover, kan ingeniører sikkert overætse og stadig lande hver funktion på en.
Linjekunst ikon for et epitaksialt lag: en silicium wafer med hak med tynde krystallag vokset ovenpå, et bundet atomgitter over overfladen og siliciumatomer der kommer oppefra. Viser hvordan epitaksi udvider waferens enkeltkrystal for at danne et rent enhedslag. Schematisk illustration, ikke i skala.
Linjekunst ikon for et epitaksialt lag: en silicium wafer med hak med tynde krystallag vokset ovenpå, et bundet atomgitter over overfladen og siliciumatomer der kommer oppefra. Viser hvordan epitaksi udvider waferens enkeltkrystal for at danne et rent enhedslag. Schematisk illustration, ikke i skala.
Ætse Selektivitet: Linjekunstikon for egenskaben, der giver en fabrik mulighed for at rense en film, mens det tilstødende materiale skånes. To blokke deler et substrat og modtager et identisk ionbad. Til venstre bevæger pilene sig nedad i det tomme rum, og en stiplet linje markerer, hvor målet stod, før det meste af det blev fjernet.
Ætse Selektivitet: Linjekunstikon for egenskaben, der giver en fabrik mulighed for at rense en film, mens det tilstødende materiale skånes. To blokke deler et substrat og modtager et identisk ionbad. Til venstre bevæger pilene sig nedad i det tomme rum, og en stiplet linje markerer, hvor målet stod, før det meste af det blev fjernet.
Physical Vapour Deposition (PVD). Rent teknisk ikon for magnetronsputtering. Positive argon-ioner accelereres mod et fast metalmål, hvilket skaber erosionsriller i form af en racerbane under magneterne. Løsrevne atomer flyver i rette linjer og lægger sig som en tynd belægning på en siliciumwafer.
Physical Vapour Deposition (PVD). Rent teknisk ikon for magnetronsputtering. Positive argon-ioner accelereres mod et fast metalmål, hvilket skaber erosionsriller i form af en racerbane under magneterne. Løsrevne atomer flyver i rette linjer og lægger sig som en tynd belægning på en siliciumwafer.
Termisk Oxidation: linjekunstikon for ovnprocessen, der omdanner overfladen af en siliciumwafer til siliciumdioxid. Varmeelementer omgiver kammeret ved cirka 800 til 1200 grader Celsius, og iltmolekyler eller damp ved våd oxidation ankommer til for- og bagside.
Termisk Oxidation: linjekunstikon for ovnprocessen, der omdanner overfladen af en siliciumwafer til siliciumdioxid. Varmeelementer omgiver kammeret ved cirka 800 til 1200 grader Celsius, og iltmolekyler eller damp ved våd oxidation ankommer til for- og bagside.
En stiliseret, flad visning viser en menneskehånd, der forsigtigt skræller en tynd, lysefarvet beskyttelsesfilm eller klæbelag fra en mørkegrå rektangulær overflade. Perspektivet er isometrisk, hvilket fremhæver handlingen med at fjerne et beskyttende dække for at afsløre overfladen nedenunder.
En stiliseret, flad visning viser en menneskehånd, der forsigtigt skræller en tynd, lysefarvet beskyttelsesfilm eller klæbelag fra en mørkegrå rektangulær overflade. Perspektivet er isometrisk, hvilket fremhæver handlingen med at fjerne et beskyttende dække for at afsløre overfladen nedenunder.
En flad visning af en menneskehånd, der skræller en tynd beskyttelsesfilm eller skærmbeskyttelse af en flad, mørkegrå overflade. Perspektivet er isometrisk, hvilket fremhæver handlingen med at fjerne et lag for at afsløre en renere overflade nedenunder. Denne grafik er velegnet til begreber relateret til skærmvedligeholdelse, produktudpakning, installationsprocesser og teknologi.
En flad visning af en menneskehånd, der skræller en tynd beskyttelsesfilm eller skærmbeskyttelse af en flad, mørkegrå overflade. Perspektivet er isometrisk, hvilket fremhæver handlingen med at fjerne et lag for at afsløre en renere overflade nedenunder. Denne grafik er velegnet til begreber relateret til skærmvedligeholdelse, produktudpakning, installationsprocesser og teknologi.